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电子元器件详细资料 » IC[21638] » IPL60R199CP
型号:IPL60R199CP类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:4-TSFN 裸露焊盘描述:MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
系列CoolMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)650V
电流_连续漏极(Id)0a025000C16.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C199 毫欧 @ 9.9A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223.5V @ 1.1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs32nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1520pF @ 100V
功率_最大139W
安装类型表面贴装
封装/外壳4-TSFN 裸露焊盘
供应商设备封装PG-VSON-4
包装带卷 (TR)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市捷富芯科技有限公司林生13686489274
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市励芯恒智能科技有限公司雷先生0755-23487994
中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
深圳市楷瑞达科技电子有限公司朱先生13528893675
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